CMP 장비(Chemical Mechanical Planarization) 완벽 가이드: 나노 평탄화의 정점
CMP 장비(Chemical Mechanical Planarization) 완벽 가이드 2026: 나노 평탄화의 정점 | Dalpack Ultimate Semiconductor Guide CMP System 화학적 기계적 연마 장비: 완벽한 평탄화의 실현 글로벌 평탄화(Global Planarization)를 위한 슬러리와 패드의 하모니. 옹스트롬(Å) 단위 제어로 3D 적층 회로의 기반을 다집니다. ▲ [장비 내부] 웨이퍼를 잡아주는 캐리어 헤드(Carrier Head)가 회전하는 연마 패드 위를 가압하며 미세한 단차를 제거합니다. 1. CMP(Chemical Mechanical Planarization)란? (Deep Dive) CMP(화학적 기계적 연마) 는 반도체 웨이퍼 표면에 화학적 반응을 일으키는 슬러리(Slurry)와 기계적 마찰을 가하는 패드(Pad)를 동시에 사용하여 표면을 거울처럼 평평하게 만드는 공정입니다. 다층 배선 구조(Multi-layer Interconnect)가 복잡해지는 현대 반도체에서 노광 공정의 초점 심도(DOF)를 확보하기 위한 필수 기술입니다. 2026년형 장비는 '실시간 종점 검출(EPD)' 시스템을 통해 과도한 연마(Over-polishing)를 0.1초 단위로 차단하고, '존(Zone)별 압력 제어' 기술로 웨이퍼 전체의 균일도를 극대화했습니다. 초정밀 평탄화의 3...